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太阳辐射的主要波长范围是()。

A、0.15-4μm

B、0.01-0.15μm

C、5-10μm

D、10-120μm

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利用定向凝固原理铸造多晶硅锭的方法包括那些:()。

A、布里曼法

B、热交换法

C、浇铸法

D、电磁铸造法

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用四探针测量半导体材料电阻率时,需要注意哪些问题:()。

A、温度对半导体材料电阻率的影响

B、测量时电流选择要适当

C、需要在电场强度小于1V/cm的弱场下进行测量

D、测量高阻材料和光敏材料时,要注意遮光处理

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直拉单晶炉主要有哪几部分:()。

A、气压控制系统

B、炉室

C、单晶硅棒生长控制系统

D、晶体及坩埚旋转和升降机械传动系统

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线缺陷主要包括()。

A、空隙、间隙原子缺陷、空位原子缺陷

B、孪晶、堆垛层错、晶粒间界

C、刃型位错、螺旋位错、位错环

D、替换原子缺陷、肖特基缺陷、弗兰克缺陷

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可见光的波长范围是()。

A、0.15-0.4μm

B、0.01-0.15μm

C、0.4-0.76μm

D、0.76-1μm

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以下哪个元素可进行硅掺杂形成N型半导体()。

A、镓

B、铝

C、硼

D、磷

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改良西门子法的优点是:()。

A、节能

B、降低物耗

C、污染少

D、成熟可靠

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N型半导体依靠()导电。

A、光子

B、空穴

C、电子

D、杂质

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掺入某些杂质是为了调控硅材料的()。

A、机械强度

B、电阻率

C、热稳定性

D、固溶度

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